NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD139-10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-126 FULLPACK. Polaritet: NPN. Effekt: 10W

NPN transistor, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 1.5A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 80V, 1.5A, TO-126. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126. Polaritet: NPN. Effekt: 12.5W

NPN transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 0.5A. Hus (i henhold til datablad): TO126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 375V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 3mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD179G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.03W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1.5A, 100V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. Kollektorstrøm: 2A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD237. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Spec info: komplementær transistor (par) BD238

NPN transistor, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 2A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Spec info: komplementær transistor (par) BD238. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD237G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Polaritet: NPN. Effekt: 30W. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD240C

NPN transistor, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Hus: TO-220. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektorstrøm: 5A. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Polaritet: NPN. Effekt: 40W. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD242C

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD242C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 6A, 100V, 6A, TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD243C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. Polaritet: NPN. Effekt: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementær effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD243C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementær effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Polaritet: NPN. Effekt: 65W. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V

NPN transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) BD246C

NPN transistor, 10A, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) BD246C

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD250C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) BD250C