NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.2A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-A. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 200mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-264. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BFU590G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 24V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 8.5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) BFV421

NPN transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-72. Hus (i henhold til datablad): TO-72. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.6GHz. Funktion: VHF-UHF-A. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 100mA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Hus: TO-50. Kollektorstrøm: 0.025A. Hus (i henhold til datablad): TO-50-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning (SMD) . C (i): TO-50. CE-diode: overflademonteret komponent (SMD) . Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3.2GHz. Funktion: Bredbånds RF-forstærker op til GHz rækkevidde.. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 25V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Spec info: Planar RF Transistor

NPN transistor, 1A, 100V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF/S. bemærk: b>70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.25A, 50V. Kollektorstrøm: 1.25A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.07W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1A, 36V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 36V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7.8W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Type transistor: NPN

NPN transistor, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Smart High-Side Power Switch . Ækvivalenter: ISP452. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-261AA. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AS3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.8W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Omkostninger): 8pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 35. Mærkning på kabinettet: U8. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafi/CMS-kode U8. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: U8. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: U8. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. C (i): 90pF. Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Medium POWER, solenoide, relæ- og aktuatordrivere & DC/DC-moduler. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 35. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: AR4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 90V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode AR4. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1300 ns. tf (min): 500 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrøm: 250mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 400 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 25. Mærkning på kabinettet: B2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.225mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 18 ns. tf (min): 12us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 20V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Spec info: serigrafi/SMD-kode B2

NPN transistor, 1A, 120V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Type transistor: NPN. Spec info: TO39

NPN transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorstrøm: 2.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. CE-diode: ja

NPN transistor, 7A, 60V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 130V

NPN transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 7. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Power transistor. tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.4us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 13.5V

NPN transistor, 8A, 150V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 330V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V