NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 750. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 7us. tf (min): 0.9us. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDW84C

NPN transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Producentens mærkning: BDW93C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 20 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Effekt: 80W. Antal terminaler: 3. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: komplementær transistor (par) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN transistor, 100V, 12A, TO-220FP. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Effekt: 33W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 12A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW93C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Max hFE-forstærkning: 750. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Indbygget diode: ja . Effekt: 70W. Antal terminaler: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: komplementær transistor (par) BDX34C

NPN transistor, 80V, 8A, TO-220-F. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220-F. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Effekt: 20W

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Max hFE-forstærkning: +150°C. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Komplementære Darlington-transistorer. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Effekt: 60W. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) BDX54C. Funktion: lydforstærker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: skiftende strømforsyning. Pd (Strømafledning, maks.) ): 95W. RoHS: NINCS. Td(fra): 3.5us. Td(on): 0.5us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. vcbo: 750V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 25mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Omkostninger): 3.5pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Modstand B: NPN-transistor . BE-modstand: RF-POWER. C (i): 25V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor. Funktion: TV-IF-reVHF. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 25mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BF240. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 30mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.22W

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 25mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, 0.5A, TO-92, 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Omkostninger): 2pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BF421. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Omkostninger): 1.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 100mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: komplementær transistor (par) BF423. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 100mA. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Omkostninger): 5.5pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 300mA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, 250V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.5A, 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.05A, 400V. Kollektorstrøm: 0.05A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: TO-93