NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 50mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: DA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.1W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.5A, 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 25mA, 15V. Kollektorstrøm: 25mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-V M/O. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.36W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 1V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: serigrafi/SMD-kode

NPN transistor, PCB-lodning , TO-202, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-202. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.8W

NPN transistor, 50mA, 275V. Kollektorstrøm: 50mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 275V. Halvledermateriale: silicium . FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Halvledermateriale: silicium . FT: 700 MHz. Funktion: VHF TV-IF. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 35. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrøm: 150mA. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Halvledermateriale: silicium . FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF-A 7GHz bredbåndstransistor. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 80. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+175°C. vcbo: 25V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Kollektorstrøm: 200mA. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Omkostninger): 0.7pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 7GHz. Funktion: Til VHF/UHF-antenneforstærker og RF-kommunikationsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 60. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. vcbo: 20V. Vebo: 3V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. C (i): 1.3pF. Omkostninger): 0.7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. Mærkning på kabinettet: V3%. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW (total 380mW). RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: serigrafi/CMS-kode V3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. C (i): 1.3pF. Omkostninger): 0.7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 60. Mærkning på kabinettet: %MW. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW (total 380mW). RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 4. Spec info: serigrafi/SMD-kode MW. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.1A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 0.1A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VID-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorstrøm: 80mA. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. C (i): 0.9pF. Omkostninger): 0.28pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Mærkning på kabinettet: RC er. Pd (Strømafledning, maks.) ): 580mW (total 380mW). RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 20V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 4. Spec info: screen print/SMD kode RC er. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.3A, 100V. Kollektorstrøm: 0.3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BFQ252. bemærk: Tc.=115°C

NPN transistor, 0.15A, 25V. Kollektorstrøm: 0.15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-A. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 1.25A, 36V. Kollektorstrøm: 1.25A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 36V. Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 210mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 210mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: R7s. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.7W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Kollektorstrøm: 0.045A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. C (i): 0.64pF. Omkostninger): 0.23pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbåndstransistor (UHF-A). Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.28W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 15V. Vebo: 2.5V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. C (i): 1.2pF. Omkostninger): 0.6pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbåndstransistor (UHF-A). Max hFE-forstærkning: 135. Minimum hFE-forstærkning: 65. Mærkning på kabinettet: P2p. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 20V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode P2P. Konditioneringsenhed: 3000. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 25mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P2. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 45mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 45mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: GFs. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.28W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrøm: 35mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. Halvledermateriale: silicium . FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 40. Mærkning på kabinettet: R2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 15V. Vebo: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 3000. Spec info: SMD R2. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-37 ( TO-50 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-37 ( TO-50 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: RF forstærker op til GHz rækkevidde til antenneforstærker.. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 25. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 700W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Planar RF Transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 20V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 50mA. Mærkning på kabinettet: E2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 25V. Vebo: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Halvledermateriale: silicium . FT: 450 MHz. Funktion: IF og VHF tyk- og tyndfilmskredsløb . Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 25mA. Mærkning på kabinettet: G1*. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode G1p, G1t, G1W