NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Omkostninger): 1.8pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Ic (puls): 800mA. Mærkning på kabinettet: C2705. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: NPN. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. bemærk: 9mm. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1145. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 200. Mærkning på kabinettet: DG. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150mW. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 300mV. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode DG. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1163. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-103, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-103. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-236, 30mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrøm: 300mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: Til Muting og Switching. Max hFE-forstærkning: 1200. Minimum hFE-forstærkning: 200. Pd (Strømafledning, maks.) ): 400mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 130 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.042V. Vebo: 25V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 70mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 70mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V/160V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 70mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SC2910. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V/160V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 400. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. driftstemperaturområde min (°C): 70mA. driftstemperaturområde maks (°C): 140mA. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1208

NPN transistor, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 0.14A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Hurtig skiftehastighed. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 0.2A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1209. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 150mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , D18/C, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D18/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V/100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W

NPN transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Mærkning på kabinettet: C3074. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 2. bemærk: for at skifte applikation. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V

NPN transistor, PCB-lodning , D8A/C, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8A/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/19V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, PCB-lodning , D6/C, 150mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 150mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 1.5A, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1249

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SC3157. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1265

NPN transistor, 0.02A, 40V. Kollektorstrøm: 0.02A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Halvledermateriale: silicium . FT: 550 MHz. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . FT: 660 MHz. Funktion: TV-ZF. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1