NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: generelt formål. Mærkning på kabinettet: C3198. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 150mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-92. Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 700. Minimum hFE-forstærkning: 70. Temperatur: +125°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: erstatning KTA1267. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Hi-Beta, lo-sat.. Minimum hFE-forstærkning: 500. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. bemærk: 9mm. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 250pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 40. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 230V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1294. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 17A, 230V. Kollektorstrøm: 17A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1295

NPN transistor, 12A, TO-247 , TO-247 , 160V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1301

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: NF-E HI-FI. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1302. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 14A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1303

NPN transistor, 1.5A, TO-220FP, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-220FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1306

NPN transistor, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 70. Ic (puls): 8A. Mærkning på kabinettet: C3303. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( D-PAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Ic (puls): 8A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 8V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: NF/SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.7A, 180V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Højspændingskoblingsapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.7W. Type transistor: NPN. bemærk: hFE 140...280. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1319

NPN transistor, 5A, 500V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN. vcbo: 900V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Halvledermateriale: silicium . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 250 MHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1360

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1100V. Funktion: hFE 15...30. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1100V. Funktion: hFE 20...40. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.3us. Type transistor: NPN. vcbo: 1100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): SC-51 ( MP ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Omkostninger): 1.7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 0.2A. Mærkning på kabinettet: C3467. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: 9 mm højde. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Funktion: Video, Hi-def. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V/100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Omkostninger): 2.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 0.2A. Mærkning på kabinettet: C3503-D. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: NPN. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Lydspændingsforstærker, CRT-definition, videoudgang. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1381. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS