NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledermateriale: silicium . Mærkning på kabinettet: C3886A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 0.02A, 25V. Kollektorstrøm: 0.02A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Halvledermateriale: silicium . FT: 450 MHz. Funktion: TV/IF. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 7A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 7A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halvledermateriale: silicium . Funktion: HA, Hi-res. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Rbe 60 Ohms

NPN transistor, 8A, 600V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: HA, Hi-res. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 8A, 600V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: HA, Hi-res. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

NPN transistor, PCB-lodning , M31/J, 12A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 180V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 130W

NPN transistor, 15A, 800V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: HA hi-def.. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: MONITOR

NPN transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: Højspændingsdriverapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: hFE 100...200

NPN transistor, 15A, TO-247 , TO-247 , 450V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: S-L. Spec info: 500/2200ns

NPN transistor, 0.065A, 10V. Kollektorstrøm: 0.065A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF. Effekt: 200mW. Type transistor: NPN. vcbo: 20V. Vebo: 1.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 9000MHZ. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 2SD4106M

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Hurtig skiftehastighed. Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: C4107. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. Type transistor: NPN. vcbo: 500V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: DC/DC spændingsomformer. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 70. Ic (puls): 14A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC)

NPN transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.7A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . FT: 270 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Funktion: hFE1 1500, hFE2 600 . Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SMV-5, 0.15A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SMV-5. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: dobbelt NPN bipolær transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 5. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 80 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, 3A, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1200V. Vebo: 7V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: Switching Power Transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1200V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: HFX-serien

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1200V

NPN transistor, 10A, TO-247 , TO-247 , 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1633. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VHF bredbåndsforstærker. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): FM20 (TO220F). Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Omkostninger): 35pF. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Højspændings NPN-transistor til audio og generelle formål.. Minimum hFE-forstærkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1668. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1671

NPN transistor, 10A, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 180V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1672

NPN transistor, 15A, 160V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 85W. Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA1673

NPN transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: SMPS. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS