NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/12V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/12V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-98, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-98. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/30V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-98, 20mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-98. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/30V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.1W

NPN transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 232. Minimum hFE-forstærkning: 50. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+125°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V/25V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V/25V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/35V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, PCB-lodning , A21/B, 30mA. Hus: PCB-lodning . Hus: A21/B. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V/10V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.12W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1000V/500V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 22W

NPN transistor, 0.2A, 60V. Kollektorstrøm: 0.2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 220 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.05A, 50V. Kollektorstrøm: 0.05A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.7A, 20V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: lo-sat . Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 120pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: Lydeffektforstærker, DC-DC konverter. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SB817. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Vebo: 6V

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: højhastigheds-invertere, omformere, lav-sat. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Ic (puls): 15A. Mærkning på kabinettet: D1062. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB826. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 0.4us. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Omkostninger): 200pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 130V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 230. Minimum hFE-forstærkning: 60. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 70V

NPN transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: erstatte. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Spec info: erstatte. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SB892. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SD1279. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 600V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , M37/J, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: M37/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W

NPN transistor, 8A, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: 2.32k Ohms. Type transistor: NPN