NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 2A, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. bemærk: hFE 200...400. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: serigrafi/SMD-kode DF, komplementær transistor (par) 2SB1123T. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 140. Ic (puls): 6A. Mærkning på kabinettet: DG. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode DG. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksiale plane siliciumtransistorer . tf (maks.): 35 ns. tf (min): 35 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 6V

NPN transistor, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO PCP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: høj jævnstrøm, relædrivere, lampedrivere. Max hFE-forstærkning: 4000. Minimum hFE-forstærkning: 3000. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: DI. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. Spec info: serigrafi/SMD-kode DI, komplementær transistor (par) 2SB1126. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 10V

NPN transistor, 2A, 30 v. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: Høj jævnstrøm, relædrivere, spændingsreguleringskontrol. bemærk: hFE 3000...4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. Spec info: serigrafi/SMD-kode DJ. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: serigrafi/SMD kode DK, hFE 120...200. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SANYO--PCP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 180. Id(imp): 8A. Mærkning på kabinettet: DK. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: serigrafi/SMD kode DK. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V

NPN transistor, 3.5A, 800V. Kollektorstrøm: 3.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 6A, 800V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: bipolær transistor. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: DAQ. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode DAQ. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan type . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorstrøm: 7A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Id(imp): 12A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1135. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 70. Id(imp): 15A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1136. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 2A, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF-E-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3). Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.5A, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/E (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1186A. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, 100V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: isoleret pakke transistor. bemærk: >1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: SMD. Hus (i henhold til datablad): D-PAK TO-252. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 25pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højstrømsskift. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 35. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1202. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Vebo: 6V

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 35. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1204. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksiale plane siliciumtransistorer . tf (maks.): 20 ns. tf (min): 20 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: chauffør . Max hFE-forstærkning: 5000. Minimum hFE-forstærkning: 2000. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.9V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Farve-tv Horisontal afbøjning Output Amp.. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 6V

NPN transistor, 4A, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: isoleret pakke transistor. Minimum hFE-forstærkning: 3000. bemærk: =3000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1342. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , M31/C, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/650V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): 1500V. driftstemperaturområde maks (°C): 650V

NPN transistor, 10A, 650V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 650V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L TV/HA(F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V