NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.5A, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused Planar . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 7V

NPN transistor, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-247 , TO-247 , 600V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 600V, 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Kollektorstrøm: 6A. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 6A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 7A, 600V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , M31/J, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: M31/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1.5 kV. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W

NPN transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, 1500V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, 600V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, 600V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , M37/J, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: M37/J. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: Darlington NPN-transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W

NPN transistor, 1A, 30 v. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, 1500V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: isoleret. Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA (isoleret). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 7A, 600V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 10A, 600V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA (isoleret). Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V

NPN transistor, 3.5A, 600V. Kollektorstrøm: 3.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 2A, 700V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Max hFE-forstærkning: 15. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 17A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.1A, 160V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/SL. bemærk: hFE 100...200. Spec info: 2SD1609-C. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 140. Ic (puls): 4A. bemærk: komplementær transistor (par) 2SB1123S. Mærkning på kabinettet: DF. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode DF. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan siliciumtransistor . tf (maks.): 30 ns. tf (min): 30 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 6V