NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 55pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 12A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1588

NPN transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1588

NPN transistor, 6A, 110V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. bemærk: >5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1625

NPN transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 6A. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-modstand: 40 Ohms. Omkostninger): 95pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 6A. Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-modstand: 40 Ohms. Omkostninger): 95pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 8A, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA Hi-r. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. bemærk: Vce(sat)=5V

NPN transistor, 80V, 3A, MT-3-A1. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: MT-3-A1. Polaritet: NPN. Effekt: 1.5W

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Max hFE-forstærkning: 12000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Mærkning på kabinettet: D2589. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1.1us. tf (min): 1.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 110V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1659

NPN transistor, 2A, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-220AB. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: 2A. Ic (puls): 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 3. Ic (puls): 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 22W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-1, 300mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-1. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V/80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W

NPN transistor, 0.7A, 25V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: hFE 120...240. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 5A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 30W

NPN transistor, PCB-lodning , D18/C, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: D18/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 12A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SD551. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W

NPN transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 1A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 100 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB631K

NPN transistor, PCB-lodning , TO-236, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 700mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/15V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 2A. bemærk: 9mm. Mærkning på kabinettet: D667. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Epitaxial. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB647