NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.02A, 120V. Kollektorstrøm: 0.02A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: AF udgangsforstærker. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 340. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 7V

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220C. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: D13009K. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: D209L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (min): 0.7us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-323, 40mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-323. Samlerstrøm Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: Højfrekvent NPN -transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 5.5V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2.4GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V

NPN transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. RoHS: ja . BE-diode: NINCS. C (i): 80pF. Omkostninger): 25pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: til mellemstore strøm- og switchingapplikationer . Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Spec info: komplementær transistor (par) BC161-16 . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 240. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 240. bemærk: ( E,C,B ). Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Spec info: BC237/25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC237BG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 120V, 0.5A, TO-39. Collector-Emitter Spænding VCEO: 120V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.85W. Maksimal frekvens: 120MHz

NPN transistor, 60V, 0.5A, TO-39. Collector-Emitter Spænding VCEO: 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.85W. Maksimal frekvens: 120MHz

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 210 MHz. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC327-25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC337-25. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC337-25. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 50V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.63W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-226. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC337-25. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, TO92, 45V. Hus: TO92. Collector-Emitter Spænding VCEO: 45V. Type: transistor til laveffektapplikationer. Polaritet: NPN. Effekt: 0.625W. Collector-basis spænding VCBO: 50V. Monteringstype: Gennemgående hulmontering af printkort . Båndbredde MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 170. Nuværende Max 1: 0.8A. Serie: BC

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC337-40. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 210 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C