NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Max hFE-forstærkning: 8:1. Minimum hFE-forstærkning: 3. Ic (puls): 7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 22W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V/80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W

NPN transistor, 0.7A, 25V. Kollektorstrøm: 0.7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: hFE 120...240. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: MONITOR. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB631K. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 100 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-236, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 700mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/15V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 2A. bemærk: 9mm. Mærkning på kabinettet: D667. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB647. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Epitaxial. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 4A, 100V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB682. Type transistor: NPN

NPN transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: lyd effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 55. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SB688. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 6A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 0.7A, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 0.7A. Hus: TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W

NPN transistor, 6A, 120V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF/SL. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1A, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB764. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SD871. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 1500V/600V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W

NPN transistor, 3A, 30 v. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 45pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 7A. Mærkning på kabinettet: D882. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SB772. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Spec info: TO-126. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN