NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat DC/DC. Max hFE-forstærkning: 350. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 2.5A, 1500V. Kollektorstrøm: 2.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 35pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Mærkning på kabinettet: D2012. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1366. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

NPN transistor, TO-220, TO-220, 80V, 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Kollektorstrøm: 3A. Type transistor: NPN. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

NPN transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Kollektorstrøm: 3.5A. Hus: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CTV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V

NPN transistor, 6A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 10A, 110V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.3A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3FP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: IBp=2A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50MHz. Funktion: Effektforstærkning med høj fremadgående strøm. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 6A. Temperatur: +150°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: 2.37k Ohms. Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1560. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 160V

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( MT-100 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1560. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 210 MHz. Funktion: S Io-sat. bemærk: serigrafi/SMD-kode DT. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1561. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 6A. Mærkning på kabinettet: D2394. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 55pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1588. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 160V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1588. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, 110V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. bemærk: >5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1625. Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 40 Ohms. Omkostninger): 95pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): 2-16E3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 40 Ohms. Omkostninger): 95pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: CTV-HA. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple Diffused MESA Type . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA Hi-r. bemærk: Vce(sat)=5V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Vebo: 5V

NPN transistor, 80V, 3A, MT-3-A1. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: MT-3-A1. Type transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 1.5W. Maksimal frekvens: 50 MHz

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: TO-220. Max hFE-forstærkning: 12000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Mærkning på kabinettet: D2589. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SB1659. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1.1us. tf (min): 1.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 110V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V

NPN transistor, 2A, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Ic (puls): 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN. vcbo: 50V