NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementær effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD244C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD243C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementær effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD244C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V

NPN transistor, TO-220, TO-220AB, 100V, 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Kollektorstrøm: 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Ic (puls): 10A

NPN transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) BD246C. Type transistor: NPN

NPN transistor, 10A, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) BD246C. Type transistor: NPN

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 40A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD250C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 5V

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BD250C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 6A, SOT-82, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: SOT-82. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 22V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 22V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD438. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): SOT-32. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Spec info: komplementær transistor (par) BD440. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V

NPN transistor, 80V, SOT32. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Hus: SOT32. Polaritet: NPN. Effekt: 36W. Type: Effekt. Collector-basis spænding VCBO: 80V. Monteringstype: Gennemgående hulmontering af printkort . Båndbredde MHz: 3MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 15. Nuværende Max 1: 4A. Serie: BD

NPN transistor, TO-126F, TO-126F, 80V, 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Kollektorstrøm: 4A. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Spec info: isoleret-hus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD649. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 62.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, 45V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD677. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD677A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD677AG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, SOT32, 80V. Hus: SOT32. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Type: Darlington transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 40W. Collector-basis spænding VCBO: 80V. Monteringstype: Gennemgående hulmontering af printkort . DC Collector/Base Gain HFE Min.: 750. Nuværende Max 1: 4A. Serie: BD679

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD680A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.8V

NPN transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 100V, 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Kollektorstrøm: 4A. Spec info: komplementær transistor (par) BD682. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD681G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Type transistor: NPN