NPN bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 1L. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-70, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-70. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): SOT-323. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Spec info: SMD 2G. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 22pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Max hFE-forstærkning: 375. Minimum hFE-forstærkning: 85. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: CAC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode CAC. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 32V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 22pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Max hFE-forstærkning: 375. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: CDC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode CDC. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 32V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , TSSOP6, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: TSSOP6. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: par NPN- og PNP-transistorer. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: M1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 1.5A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-261. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP54/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCP51-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 25pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP 5516. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCP52-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-261. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BH-10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP56/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCP53-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-261. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BH-10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-261. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BH. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 130 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-261. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: XGs. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 10k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10k Ohms. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Transistor med indbygget forspændingsmodstand. Minimum hFE-forstærkning: 70. Mærkning på kabinettet: XCs. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/CMS-kode XCs. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 1V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: Darlington NPN-transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: EF. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. bemærk: >420. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCW60RC. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: U1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NPN-transistor, AF-applikationer og skift. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: EKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Spec info: komplementær transistor (par) BCX42. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-243. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: bM. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: lyd- og videoforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 1.5A. Mærkning på kabinettet: BH. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode BH. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: lyd- og videoforstærkere. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 63. Ic (puls): 1.5A. bemærk: serigrafi/SMD-kode BK. Mærkning på kabinettet: BK. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCX53-10. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V