NPN bipolære transistorer

NPN transistor, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V, 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Kollektorstrøm: 1A. bemærk: serigrafi/SMD-kode BL. Mærkning på kabinettet: BL. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCX53-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: lyd- og videoforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1.5A

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: NF-TR. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: AK*. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 200A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.34W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.75V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-18, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-18. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-206AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCY59-9. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 3A, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 18.5W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Lydforstærkere og applikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD139. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD139-10. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-126 FULLPACK. Type transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 10W

NPN transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V

NPN transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 80V, 1.5A, TO-126. Collector-Emitter Spænding VCEO: 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126. Type transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 12.5W

NPN transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126 plastic. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD140-16. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO126, 375V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 375V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 3mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD179G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.03W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1.5A, 100V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) BD238. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25

NPN transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD238. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD237G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD239C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 30W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD241C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD242C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 6A, PCB-lodning , TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD243C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort