NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 2.5A, 700V. Kollektorstrøm: 2.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 2.5A, 700V. Kollektorstrøm: 2.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA SMPS. bemærk: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: TO-220AB. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS (F). Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , ITO-218, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: ITO-218. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-199. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BU508AF. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 700V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 34W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 34W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 1500V, 8A, TO-247 . Collector-Emitter Spænding VCEO: 1500V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-247 . Type transistor: Power transistor. Polaritet: NPN. Applikationer: skift. Effekt: 125W

NPN transistor, 8A, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 34W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, PCB-lodning , ISOWATT-218, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: ISOWATT-218. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BU508DFI. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 700V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 7 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, 480V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 480V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-SN. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. Type transistor: NPN. vcbo: 1100V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 330V/200V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 330V/ 200V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FH. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 42W. Spec info: TO-220FH. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1400V

NPN transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-modstand: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 230. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja . Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-modstand: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 60...230, isoleret plasthus. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. Spec info: faldtid 0,8us. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1400V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BU941ZP. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 350V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 155W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

NPN transistor, 15A, 400V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. bemærk: >300. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Type transistor: NPN. vcbo: 500V

NPN transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: efterårstid 625ns. Max hFE-forstærkning: 3400. Minimum hFE-forstærkning: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: HV-POWER. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 30A, TO-247 , TO-247 , 450V. Kollektorstrøm: 30A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Ic (puls): 60A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Spec info: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Højspænding Multi Epitaxial Planar teknologi . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.05us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Vebo: 7V

NPN transistor, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Kollektorstrøm: 14A. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): TO-218-ISO. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 7. Ic (puls): 18A. bemærk: hi-res, monitor 19. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 220 ns. tf (min): 110 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN transistor, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218 ( SOT93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingshurtigt skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 22A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: Icm.22A <5ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 210 ns. tf (min): 110 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN transistor, 5A, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: MONITOR. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højopløsning . Max hFE-forstærkning: 9. Minimum hFE-forstærkning: 2.5. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 44W. Spec info: MONITOR. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 400 ns. tf (min): 200 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: ISOWATT218. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Max hFE-forstærkning: 6. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (type): 190 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1700V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V