NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 10A, 700V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 57W. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V

NPN transistor, 4A, 400V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højspænding, hurtigt skiftende. Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: TO-220. Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højspændings hurtig omskiftning, til omskiftning af strømforsyninger. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 720 ns. tf (min): 450 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1600V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Hurtig skift til skift af strømforsyninger. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 6. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 150us. tf (min): 80us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 13.5. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 150 ns. tf (min): 80 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 1150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Ic (puls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: Højhastighedsskift. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 800V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Vebo: 9V

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtig kommutering til switching mode strømforsyning. Max hFE-forstærkning: 10. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 50 ns. Type transistor: NPN. vcbo: 850V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.13V. Vebo: 9V

NPN transistor, 7A, 450V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Spec info: Højhastighedsskift. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: SMPS S-L. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 14. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: Højhastighedsskift. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 9V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUL45D2G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 75W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 13 MHz. Funktion: High-speed, high-gain, bipolær NPN-effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 22. Ic (puls): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.28V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 12V

NPN transistor, 4A, 500V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SMPS S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Spec info: Høj hastighed. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Kollektorstrøm: 1.2A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Switching med høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 5. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1us. tf (min): 1us. Type transistor: NPN. vcbo: 600V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 200V, 70A, TO-3. Collector-Emitter Spænding VCEO: 200V. Kollektorstrøm: 70A. Hus: TO-3. Type transistor: NPN Power Transistor. Polaritet: NPN. Effekt: 350W

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændings hurtig omskiftning. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 4us. tf (min): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 9V

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F ( SOT186A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Power transistor. tf (maks.): 160 ns. tf (min): 145 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 23W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: høj spænding, høj hastighed. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 4A, 350V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 9 MHz. Funktion: S-L, SN. Pd (Strømafledning, maks.) ): 55W. Type transistor: NPN. vcbo: 600V