NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 5A, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V

NPN transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højspænding, hurtigt skiftende. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 10. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 5A, 400V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V

NPN transistor, 10A, TO-247 , TO-247 , 450V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 10A, 400V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. Type transistor: NPN. vcbo: 850V

NPN transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 175W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUX48A. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 175W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 2A, 400V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Funktion: S. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 450V

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Max hFE-forstærkning: 50. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V

NPN transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): SOT-82. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUX87P. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 42W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 300V

NPN transistor, 2A, 800V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: TV-HA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 2200V

NPN transistor, 10A, 200V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: NPN. vcbo: 280V

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 130pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 20A. Mærkning på kabinettet: D44H11. Ækvivalenter: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) D45H11. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . tf (maks.): 140 ns. tf (min): 140 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D44H11G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Kollektorstrøm: 10A. Type transistor: NPN. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 90pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: komplementær transistor (par) D45H8. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D44H8G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Max hFE-forstærkning: 35. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. Spec info: komplementær transistor (par) D45VH10. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 90 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SC-59. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 10k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 10k Ohms. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 24. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 24. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 0.2W. Type transistor: NPN. vcbo: 50V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 4.7k Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Transistor med indbygget forspændingsmodstand. Minimum hFE-forstærkning: 200. bemærk: serigrafi/SMD-kode 33. Mærkning på kabinettet: *33, P33, t33, w33. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Produktionsdato: 2014/49. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 18. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN transistor, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrøm: 0.03A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 47k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 47k Ohms. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Mærkning på kabinettet: 26. Spec info: serigrafi/SMD-kode 26. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.1A, SC-72. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SC-72. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.3W. BE-modstand: 47k+22k Ohms. Maksimal frekvens: 250MHz

NPN transistor, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Kollektorstrøm: 100A. Hus: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN Transistor Modul. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 300. Ic (puls): 150A. bemærk: Skruet. Antal terminaler: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225W. RoHS: ja . Spec info: Single Dual Emitter. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.35us. Type transistor: NPN & NPN. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.25V. Vebo: 7V