NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 80pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 14 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Spec info: Switching med høj hastighed. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Bipolær krafttransistor. tf (maks.): 0.7us. tf (min): 0.23us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 14 MHz. Funktion: skifte kredsløb. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Spec info: Switching med høj hastighed. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Bipolær krafttransistor. tf (maks.): 0.7us. tf (min): 0.23us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 9V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE13007G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 12A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE13009G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 100W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJE15031. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: til lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJE15031G. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE15032G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 30 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15033. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE15035G. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 13 MHz. Funktion: Skiftende strømforsyningsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 34. Minimum hFE-forstærkning: 12:1. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 400us. tf (min): 70us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE18004G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 450V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 13 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 75W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 6A, 450V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 14 MHz. Funktion: SMPS. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Type transistor: NPN. vcbo: 1000V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. C (i): 1750pF. Omkostninger): 100pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 13MHz. Funktion: Skiftende strømforsyningsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 14. Minimum hFE-forstærkning: 34. Ic (puls): 16A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. RoHS: ja . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -60...+150°C. vcbo: 1000V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V

NPN transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 80pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 65MHz. Max hFE-forstærkning: 180. Minimum hFE-forstærkning: 45. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE210. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 25V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-225. Omkostninger): TO-225. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Funktion: Højhastighedsskift, Lyd. Max hFE-forstærkning: 180. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE253. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 7V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE3055T. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 75W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE2955T. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: til Hi-fi-lydforstærkere og switching-regulatorer. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJE3055T. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 8V. Vebo: 5V

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJE2955T. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-32. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-126. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE340. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 240. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Vebo: 3V

NPN transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126 ( TO-225 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 500V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 30pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L, VID.. Ækvivalenter: KSE340. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 300V

NPN transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 30pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. bemærk: plastikhus. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20.8W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJE350. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE340G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 50. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (min): 2us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V

NPN transistor, 1.5A, 60V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1000pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE800G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJE803. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C