NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): TO-218-FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-forstærkning: 7. Minimum hFE-forstærkning: 4.5. Ic (puls): 18A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 58W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 2.6us. tf (min): 0.2us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-forstærkning: 18. Minimum hFE-forstærkning: 5. Ic (puls): 16A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 58W. RoHS: ja . Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 7V

NPN transistor, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrøm: 14A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdato: 2014/17. Max hFE-forstærkning: 8.5. Minimum hFE-forstærkning: 6. Ic (puls): 21A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.25us. tf (min): 0.12us. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 9V

NPN transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.6us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 650V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 8V

NPN transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Kollektorstrøm: 50A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Kollektorstrøm: 60A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 7pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 75...1000. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrøm: 30A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 4pF. Omkostninger): TO-204AA. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): +200°C. bemærk: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). bemærk: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11015. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrøm: 50A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-forstærkning: 18000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 100A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11033. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 50A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ11032G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ15003G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 140V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 250W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. Spec info: komplementær transistor (par) MJ15004. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 70. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.8 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Spec info: Motorola. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 200V

NPN transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 70. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.8 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 10. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJ15016. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 6us. tf (min): 4us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. Spec info: komplementær transistor (par) MJ15023. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 350V

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højeffekt lyd. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJ15023. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 350V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højeffekt lyd. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJ15025. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 16A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ15024G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 250W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 16A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja . Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ21194G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 250W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 75. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJ21195. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 400V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V

NPN transistor, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrøm: 30A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. C (i): 30pF. Omkostninger): 8.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 30A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ802G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 90V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, 8A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D-PAK. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-252. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: J44H11. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, 8A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D-PAK. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN Power Transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-252. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: J44H11. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 85 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 45pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 85 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: 44H11G. Ækvivalenter: MJD44H11G, MJD44H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJD45H11T4G. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): DPAK CASE 369C. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 45pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 85 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: 45H11G. Ækvivalenter: MJD45H11G, MJD45H11J. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) MJD45H11T4G. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 3pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 700V