NPN transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BCR562E6327HTSA1
| Antal (Sæt med 10) | ekskl. moms | moms inkl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 11.00kr | 13.75kr |
| 2 - 2 | 10.45kr | 13.06kr |
| 3 - 4 | 9.90kr | 12.38kr |
| 5 - 9 | 9.35kr | 11.69kr |
| 10 - 24 | 8.80kr | 11.00kr |
| Antal (Sæt med 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 11.00kr | 13.75kr |
| 2 - 2 | 10.45kr | 13.06kr |
| 3 - 4 | 9.90kr | 12.38kr |
| 5 - 9 | 9.35kr | 11.69kr |
| 10 - 24 | 8.80kr | 11.00kr |
NPN transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BCR562E6327HTSA1. NPN transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 4.7k Ohms. BE-modstand: 4.7k Ohms. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: PNP Silicon Digital Transistor. Minimum hFE-forstærkning: 50. Mærkning på kabinettet: XUs. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 03:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.