NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15035G

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V - MJE15035G. NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 8A. bemærk: komplementær transistor (par) MJE15034G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 350V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 04:25.