Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner
0
Produktkategorier :
Automatisering
>
19
Computer
>
56
Elektrisk beskyttelse
>
1131
Energi
>
1278
Fritidselektronik
>
528
Halvledere
>
14313
Kabler
>
1760
Kapslinger til elektronik
>
1202
Køling
>
750
Lyd
>
307
Mekaniske dele
>
423
Optoelektronik
>
1955
Passive komponenter
>
10158
Relæer
>
843
Reparation
>
921
Stik
>
5643
Switches
>
926
Transformere
>
547
Værktøjer
>
1365
Halvledere Transistorer PNP bipolære transistorer

NPN transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T

NPN transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 5.21kr 6.51kr
5 - 9 4.95kr 6.19kr
10 - 24 4.69kr 5.86kr
25 - 49 4.43kr 5.54kr
50 - 99 4.32kr 5.40kr
100 - 249 4.22kr 5.28kr
250 - 492 4.48kr 5.60kr
Antal U.P
1 - 4 5.21kr 6.51kr
5 - 9 4.95kr 6.19kr
10 - 24 4.69kr 5.86kr
25 - 49 4.43kr 5.54kr
50 - 99 4.32kr 5.40kr
100 - 249 4.22kr 5.28kr
250 - 492 4.48kr 5.60kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 492
Sæt med 1

NPN transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V - MJE2955T. NPN transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Hus: TO-220. Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Modstand B: Power transistor. BE-modstand: -70V. C (i): -10A. Omkostninger): 90W. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 14:25.

Teknisk dokumentation

Tilsvarende produkter :

Antal på lager : 94
MJE2955T-CDIL

MJE2955T-CDIL

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til...
MJE2955T-CDIL
NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: til Hi-fi-lydforstærkere og switching-regulatorer. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
MJE2955T-CDIL
NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: til Hi-fi-lydforstærkere og switching-regulatorer. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial-Base . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 70V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS
Sæt med 1
6.96kr moms inkl.
(5.57kr ekskl. moms)
6.96kr

Information og teknisk hjælp

På telefon :
Via e-mail
Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.