PNP bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A6A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.24W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A6E. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.24W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 300V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA92. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92AMMO. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) MPSA06. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MPSA56. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 125 MHz. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 2000. Spec info: komplementær transistor (par) MPSA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. C (i): 60pF. Omkostninger): 6pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Modstand B: PNP transistor. BE-modstand: -30V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. C (i): 4.5pF. Omkostninger): 10pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 75. Ic (puls): 30A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) NJW0281. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. C (i): 9pF. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30MHz. Funktion: lyd effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 75. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) NJW3281. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3P, 250V, 16A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3P. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: NJW21193G. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, 60V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.5 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20. bemærk: hFE 20...70. bemærk: komplementær transistor (par) NTE219. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.3V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89 (SC-62). Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 85pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 110 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 80. Ic (puls): 15A. bemærk: PBSS4041NX. Mærkning på kabinettet: 6g. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 75 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 60mV. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 300mV. Vebo: 5V. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrøm: 600mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Omkostninger): 29pF. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 800mA. Mærkning på kabinettet: *T2, P2T, T2T, W2T. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . tf (maks.): 350 ns. tf (min): 40 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode P2T, T2T, W2T, komplementær transistor (par) PMBT4401. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 75pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Almindelig forstærker. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 45pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Almindelig forstærker. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92AMMO. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. C (i): 30pF. Omkostninger): 8pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: Almindelig forstærker. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 75. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 30 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2907A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-363, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-363. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: B*1. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 180 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: dobbelt PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A6A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.24W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. C (i): 11pF. Omkostninger): 1.5pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 160. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.28V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-modstand: 4. Omkostninger): 3pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Klasse B Push-pull-drift. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: fremragende hFE-linearitet. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Omkostninger): 95pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Klasse B Push-pull-drift. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: fremragende hFE-linearitet. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Funktion: Medium Power forstærker. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) STD1862

NPN transistor, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: N9260. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 150 ns. Type transistor: PNP. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Funktion: højspændings hurtig-switching, PNP power transistor. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS