PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændings hurtigskiftende effekttransistor. Max hFE-forstærkning: 32. Minimum hFE-forstærkning: 4. Ic (puls): 3A. Mærkning på kabinettet: N93003. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.6W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) STN83003. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V

NPN transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -20V. Kollektorstrøm: -1A. Hus: TO-92. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 1W. Maksimal frekvens: 65MHz. Applikationer: Audio

NPN transistor, -45V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -45V. Kollektorstrøm: -1A. Hus: TO-92. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.8W. Maksimal frekvens: 150MHz. Applikationer: Audio

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: switching, lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 15A. bemærk: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) TIP102. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP126. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) TIP122. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. C (i): 75pF. Omkostninger): 10pF. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2)

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Omkostninger): 300pF. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) TIP122G. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP127. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP137. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , -100V, 100V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Hus (JEDEC-standard): -100V. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP147. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Funktion: Komplementær effekt Darlington transistor. Max hFE-forstærkning: 1000. Minimum hFE-forstærkning: 500. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Spec info: komplementær transistor (par) TIP142T. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Monolitisk Darlington. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, TO-247 , 15A, TO-247 , 70V. Hus: TO-247 . Kollektorstrøm: 15A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 70V. RoHS: ja . bemærk: komplementær transistor (par) TIP3055. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Spec info: Lav kollektor-emitter mætning spænding. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 20

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP30. Maksimal dissipation Ptot [W]: 30W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 160pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: PNP TRANS 100V 3. Produktionsdato: 201448. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) TIP31C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, TO-247 , 10A, TO-247 , 140V. Hus: TO-247 . Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. RoHS: ja . BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) TIP33C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V

NPN transistor, TO-247 , 25A, TO-247 , 100V. Hus: TO-247 . Kollektorstrøm: 25A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 50A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) TIP35C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 45pF. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Produktionsdato: 1512. Max hFE-forstærkning: 50

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 100V, 25A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: TIP36CG. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Hus: TO-220. Kollektorstrøm: 6A. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Komplementære krafttransistorer. Max hFE-forstærkning: 75. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) TIP41C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, -100V, -6A, TO-220. Collector-Emitter Spænding VCEO: -100V. Kollektorstrøm: -6A. Hus: TO-220. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 65W. Maksimal frekvens: 3MHz

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 0.2W. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6B. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 0.2W. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6D. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. C (i): 75pF. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 1.6mm. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorstrøm: 100nA (ICBO). Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SM-8. Mængde pr tilfælde: 2. Spænding: 60V. Max hFE-forstærkning: 100 (500mA, 2V). Antal terminaler: 8:1. Maks: 140 MHz. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 2.75W. Type transistor: PNP & PNP. Driftstemperatur: -55°C ~ 150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 500mV (200mA, 2A)

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX451. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V