PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 0.2W. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6B. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 180pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 0.2W. Spec info: serigrafi/SMD-kode 6D. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. C (i): 75pF. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: 1.6mm. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Kollektorstrøm: 100nA (ICBO). Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SM-8. Mængde pr tilfælde: 2. Spænding: 60V. Max hFE-forstærkning: 100 (500mA, 2V). Antal terminaler: 8:1. Maks: 140 MHz. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 2.75W. Type transistor: PNP & PNP. Driftstemperatur: -55°C ~ 150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 500mV (200mA, 2A)

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) ZTX451. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 30pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,9V. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) ZTX653. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 600 ns. tf (min): 40 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.17V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: ZTX758. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,9V. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 150. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) ZTX690. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 600 ns. tf (min): 35us. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 70V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Meget lav mætning VBE(sat) 0,95V. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 300. Ic (puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SILICON PLANAR. tf (maks.): 750 ns. tf (min): 35us. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.45V. Vebo: 5V