N-kanal transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4

N-kanal transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4. N-kanal transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 360V. C (i): 85pF. Omkostninger): 40pF. Kanaltype: N. Funktion: IGBT. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 250A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 90 ns. Td(on): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 20:25.