Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 46.20kr | 57.75kr |
2 - 2 | 43.89kr | 54.86kr |
3 - 4 | 42.50kr | 53.13kr |
5 - 9 | 41.58kr | 51.98kr |
10 - 12 | 40.66kr | 50.83kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 46.20kr | 57.75kr |
2 - 2 | 43.89kr | 54.86kr |
3 - 4 | 42.50kr | 53.13kr |
5 - 9 | 41.58kr | 51.98kr |
10 - 12 | 40.66kr | 50.83kr |
N-kanal transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V - RJP30E4. N-kanal transistor, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 360V. C (i): 85pF. Omkostninger): 40pF. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N. Funktion: IGBT. Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 250A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Spec info: 150ns, 30W, 40A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 90 ns. Td(on): 40 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. Originalt produkt fra producenten Renesas Technology. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 01:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.