Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 46.20kr | 57.75kr |
2 - 2 | 43.89kr | 54.86kr |
3 - 4 | 41.58kr | 51.98kr |
5 - 7 | 39.27kr | 49.09kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 46.20kr | 57.75kr |
2 - 2 | 43.89kr | 54.86kr |
3 - 4 | 41.58kr | 51.98kr |
5 - 7 | 39.27kr | 49.09kr |
RJP30E4. C (i): 85pF. Omkostninger): 40pF. Kanaltype: N. Funktion: IGBT. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 250A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 90 ns. Td(on): 40 ns. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 360V. Port/emitter spænding VGE: 30 v. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 2.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5V. Antal terminaler: 3. Spec info: 150ns, 30W, 40A. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 02:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.