Sanken 2SK3199 N-Kanal MOSFET, 500V, 5A, 1.2 Ohm, TO220F-3L Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK3199):

Drain-Source-spænding Vds(max): 500V. Drain-Source-lækstrøm Idss(max): 100uA. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=25°C): 5A. On-State-modstand Rds(On): 1.2 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO220F-3L. Kapsling: TO-220FP. RoHS-kompatibel: Ja. Monteringstype: Gennemhulsmontage. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Teknologi: V-MOS (F). Ækvivalenser: FS5KM-10-AW. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 60 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss(min): 0.1uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 18 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende Drain-strøm Id(imp): 20A. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2V. Indgangskapacitet C(in): 650pF. Udgangskapacitet C(out): 250pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 2us. Maksimal effektafledning: 30W. Gate-Source-spænding Vgs: 30V. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 4V.