Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

N-kanal transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3

N-kanal transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 1 48.68kr 60.85kr
2 - 2 46.24kr 57.80kr
3 - 4 43.81kr 54.76kr
5 - 9 41.38kr 51.73kr
10 - 19 40.40kr 50.50kr
20 - 29 39.43kr 49.29kr
30 - 63 37.97kr 47.46kr
Antal U.P
1 - 1 48.68kr 60.85kr
2 - 2 46.24kr 57.80kr
3 - 4 43.81kr 54.76kr
5 - 9 41.38kr 51.73kr
10 - 19 40.40kr 50.50kr
20 - 29 39.43kr 49.29kr
30 - 63 37.97kr 47.46kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 63
Sæt med 1

N-kanal transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V - SPP20N60C3. N-kanal transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.16 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): P-TO220-3-1. Spænding Vds (maks.): 650V. C (i): 2400pF. Omkostninger): 780pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ekstrem dv/dt-bedømt ultra lav gate-opladning . Id(imp): 62.1A. IDss (min): 0.1uA. Mærkning på kabinettet: 20N60C3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 67 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Cool Mos. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3.9V. Vgs (th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 13:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.