N-kanal transistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - SSS7N60A

N-kanal transistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - SSS7N60A. N-kanal transistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1150pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 28A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 72 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Power-MOSFET (F). Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Samsung. Antal på lager opdateret den 07/06/2025, 22:25.