Standard- og ensretterdioder

Fremadgående strøm (AV): 60A. IFSM: 550A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Mærkning på kabinettet: MUR 6060. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -40...+125°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.8V. Fremadspænding Vf (min): 1.5V. Antal terminaler: 2. Bruges til: kan også bruges til solcelleanlæg. bemærk: Ultrahurtig gendannelsesdiode

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 1000V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. Mærkning på kabinettet: U8100E. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.8V. Fremadspænding Vf (min): 1.5V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: ultrahurtig ensretterdiode

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 200V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. Mærkning på kabinettet: U820. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.975V. Fremadspænding Vf (min): 0.895V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: ultrahurtig ensretterdiode

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 500uA. MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: MUR860. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.5V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: ensretterdiode til at skifte strømforsyning. Spec info: ultrahurtig ensretterdiode

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. MR (max): 500uA. MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: U860. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.5V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ultrahurtig ensretterdiode

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 800V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. Mærkning på kabinettet: U880E. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.8V. Fremadspænding Vf (min): 1.5V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: ultrahurtig ensretterdiode

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 40A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diode Tff (25°C): 25 ns. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. MR (max): 50uA. MR (min): 2uA. Mærkning på kabinettet: U1D. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.875V. Fremadspænding Vf (min): 0.71V. Antal terminaler: 2. bemærk: serigrafi/CMS-kode U1D

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 35A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff (25°C): 50 ns. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. MR (max): 150uA. MR (min): 5uA. Mærkning på kabinettet: U1J. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.05V. Antal terminaler: 2. bemærk: serigrafi/CMS-kode U1J

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 75A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. MR (max): 150uA. MR (min): 5uA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.875V. Fremadspænding Vf (min): 0.71V. Antal terminaler: 2. bemærk: serigrafi/CMS-kode U3D

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 75A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 250uA. MR (min): 10uA. Ækvivalenter: MURS360T3G, MUR360S R6. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.05V. Antal terminaler: 2. bemærk: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U3J

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 250uA. MR (min): 10uA. Ækvivalenter: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 0.88V. Antal terminaler: 2. bemærk: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U3J

Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 400A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: P1000M. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Fremadgående strøm (AV): 20A. IFSM: 500A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: P2000M. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 400A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 2500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 500uA. MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: 6A08. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms)

RoHS: ja . Komponentfamilie: Standard ensretterdiode. Hus: PCB-lodning . Hus: D8x7.5mm. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 2. Videresend nuværende [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 1 kV. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 10uA. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Fremadspænding Vfmax (V): 1V @ 5A. Hus (JEDEC-standard): silicium . Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 400A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: 6A12. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 10A. Hus: SOD-323. Hus (i henhold til datablad): SOD-323F. VRRM: 60V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Schottky ensretterdiode (Mega-serien). Mærkning på kabinettet: EQ. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.66V. Fremadspænding Vf (min): 0.21V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1

Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Hus (i henhold til datablad): A-405 (5.2x2.7mm). Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højhastighedsskift. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1

bemærk: DAEWOO TV

bemærk: SONY TV

Fremadgående strøm (AV): 20A. IFSM: 100A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. VRRM: 350V. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 10uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Funktion: Hurtig skift, hurtig gendannelsesdiode. Spec info: IFMS 100Ap

Fremadgående strøm (AV): 20A. IFSM: 100A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. VRRM: 530V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 23 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 2V. Fremadspænding Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. bemærk: SAMSUNG. MR (max): 2.5mA. MR (min): 0.5mA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Vægt: 0.6g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 100us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig ensretterdiode. bemærk: SAMSUNG 0402-000250. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 2V. Fremadspænding Vf (min): 2V