Standard- og ensretterdioder

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 200V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. bemærk: ultrahurtig ensretterdiode. Mærkning på kabinettet: U820. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.975V. Fremadspænding Vf (min): 0.895V

VRRM: 600V. Hus: TO-220AC. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 8A. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.5V / 8A. Monteringstype: THT. Omvendt lækstrøm: <500uA / 600V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 60ns. Serie: MUR860

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. MR (max): 500uA. MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: U860. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: ultrahurtig ensretterdiode. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.5V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: strøm ensretter diode, Til at skifte strømforsyning. bemærk: ultrahurtig ensretterdiode. Mærkning på kabinettet: U880E. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.8V. Fremadspænding Vf (min): 1.5V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 40A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: ja . Diode Tff (25°C): 25 ns. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U1D. MR (max): 50uA. MR (min): 2uA. Mærkning på kabinettet: U1D. Antal terminaler: 2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.875V. Fremadspænding Vf (min): 0.71V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 35A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff (25°C): 50 ns. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U1J. MR (max): 150uA. MR (min): 5uA. Mærkning på kabinettet: U1J. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.05V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 75A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U3D. MR (max): 150uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.875V. Fremadspænding Vf (min): 0.71V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 75A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . bemærk: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U3J. MR (max): 250uA. MR (min): 10uA. Ækvivalenter: MURS360T3G, MUR360S R6. Antal terminaler: 2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.05V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 100A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . bemærk: Ultrafast Power Rectifiers. bemærk: serigrafi/CMS-kode U3J. MR (max): 250uA. MR (min): 10uA. Ækvivalenter: MURS360T3G, MUR360S, R6. Antal terminaler: 2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 0.88V

Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 400A. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.9V. Cj: 70pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: P1000M. Antal terminaler: 2. RoHS: ja

Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Hus: 110pF. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 20A. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 0.87V. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): 1500 ns. Monteringstype: THT. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns. Information: P2000M. Serie: 2. MSL: ja

VRRM: 1600V. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 25A. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Monteringstype: THT. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns

Hus: P600. VRRM: 200V. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 6A. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.0V / 5A. Monteringstype: THT. Omvendt lækstrøm: 25uA / 200V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns. Serie: P600

Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 400A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 2500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 500uA. MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: 6A08. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 0.9V

VRRM: 1000V. Hus: P600. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 6A. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.0V / 5A. Monteringstype: THT. Omvendt lækstrøm: 25uA / 1000V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 1500ns. Serie: P600

Fremadgående strøm (AV): 6A. IFSM: 400A. Hus: R-6. Hus (i henhold til datablad): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1500 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: 6A12. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -50...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 10A. Hus: SOD-323. Hus (i henhold til datablad): SOD-323F. VRRM: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Schottky ensretterdiode (Mega-serien). Mærkning på kabinettet: EQ. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.66V. Fremadspænding Vf (min): 0.21V

Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Antal terminaler: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.2V

IFSM: 30A. Hus (i henhold til datablad): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højhastighedsskift. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V

bemærk: DAEWOO TV

bemærk: SONY TV

Fremadgående strøm (AV): 20A. IFSM: 100A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. VRRM: 350V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hurtig skift, hurtig gendannelsesdiode. MR (max): 10uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Spec info: IFMS 100Ap. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V

Fremadgående strøm (AV): 20A. IFSM: 100A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. VRRM: 530V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 23 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Spec info: Silicon epitaxial planer. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 2V. Fremadspænding Vf (min): 1.65V

Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 100 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. bemærk: SAMSUNG. MR (max): 2.5mA. MR (min): 0.5mA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFMS 50Ap. Vægt: 0.6g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 50A. Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 100us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig ensretterdiode. bemærk: SAMSUNG 0402-000250. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 2V. Fremadspænding Vf (min): 2V