Standard- og ensretterdioder

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 2A. bemærk: Ifsm--80A/8.2ms. Tonehøjde: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. bemærk: GI, S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. bemærk: 125A/PP. VRRM: 400V. bemærk: GI, S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. bemærk: 125App/8.3ms. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD. VRRM: 1000V. bemærk: GI, S

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 4us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: dæmper . Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 60A. bemærk: Samsung--32169-301-670. bemærk: Samsung--CK6813Z/SEH. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 1500V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 4us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: dæmper . Fremadgående strøm (AV): 2.5A. IFSM: 50A. bemærk: Samsung--0402-000266. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.5V. Fremadspænding Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V

Cj: 55pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hyperfast Diode. Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 200A. bemærk: Hyper hurtig diode. MR (max): 500uA. MR (min): 100uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC-2. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 3.2V. Fremadspænding Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap

Cj: 60pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 30A. bemærk: Hyper hurtig diode. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 2.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 65 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hyperfast with Soft Recovery. Fremadgående strøm (AV): 30A. IFSM: 300A. Mærkning på kabinettet: RHR30120. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 3.2V. Fremadspænding Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V

Cj: 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 55 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. bemærk: Hyper hurtig diode. MR (max): 500uA. MR (min): 100uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 3.2V. Fremadspænding Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

RoHS: ja . Cj: 25pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Hyper hurtig diode. Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 16A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Tærskelspænding Vf (maks.): 2.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Tonehøjde: 8x6.5mm. Hus: DO-27. Hus (i henhold til datablad): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.95V. Fremadspænding Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. bemærk: Ultra-Fast Recovery Rectifier Diode

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 100V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 150 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 250 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 500 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hurtig ensretter diode, Overflademontering. Fremadgående strøm (AV): 1.5A. IFSM: 50A. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.3V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 125 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 80A. IFSM: 500A. MR (max): 2mA. MR (min): 250uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247-2. Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.9V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Funktion: Ultrahurtig diode

RoHS: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 60 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast Recovery Diode. Fremadgående strøm (AV): 30A. IFSM: 325A. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.5V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: pinout--1

Dielektrisk struktur: fælles katode. Dobbelt: Dobbelt. Halvledermateriale: Sb. Funktion: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Fremadgående strøm (AV): 16A. IFSM: 150A. Schottky diode?: schottky. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -65...+125°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.55V. Fremadspænding Vf (min): 0.48V. VRRM: 40V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. bemærk: Ifsm 150A/10ms. Konditioneringsenhed: 50. bemærk: dobbelt silicium diode

Cj: 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 1.8us. Halvledermateriale: silicium . Funktion: almindelige ensretterdioder. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. bemærk: serigrafi/SMD-kode 1M. bemærk: hus 4,6x2,7mm. Mærkning på kabinettet: 1 M. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMA DO214AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.1V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1.5A. VRRM: 200V

RoHS: ja . Komponentfamilie: Overflademonteret ensretterdiode (SMD). Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SMB. Hus (JEDEC-standard): DO-214AA. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 2. Videresend nuværende [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 1 kV. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 5uA..100uA. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Fremadspænding Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. bemærk: 4.2x4.3mm. bemærk: 50App/10ms. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: SOD-64 ( Glass ). Hus (i henhold til datablad): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V