Standard- og ensretterdioder

Fremadgående strøm (AV): 2A. Fremadgående strøm (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 100V. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Højspændingseffekt Schottky . MR (max): 5mA. MR (min): 1uA. RoHS: ja . Schottky diode?: schottky. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 0.92V. Fremadspænding Vf (min): 0.65V. Antal terminaler: 2

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 75A. Hus: DO-214. Hus (i henhold til datablad): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: strøm Schottky ensretter diode, lavt spændingsfald. MR (max): 80mA. MR (min): 220uA. Mærkning på kabinettet: GD4. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tærskelspænding Vf (maks.): 0.39V. Fremadspænding Vf (min): 0.25V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Fremadgående strøm (AV): 30A. IFSM: 220A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. VRRM: 45V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Dobbelt Schottky diode. MR (max): 11mA. MR (min): 200uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.84V. Fremadspænding Vf (min): 0.5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 250A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. VRRM: 100V. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingseffekt Schottky ensretter. MR (max): 6mA. MR (min): 5uA. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.74V. Antal terminaler: 3. bemærk: Schottky ensretterdiode. Fremadspænding Vf (min): 0.64V. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Fremadgående strøm (AV): 5A. IFSM: 75A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Højspændingseffekt Schottky . MR (max): 4.5mA. MR (min): 3.5uA. Mærkning på kabinettet: S5H100. RoHS: ja . Schottky diode?: schottky. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.85V. Fremadspænding Vf (min): 0.57V. Spec info: 75App/10ms

Fremadgående strøm (AV): 5A. IFSM: 150A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD. VRRM: 40V. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Power Schottky ensretter. MR (max): 0.75mA. MR (min): 0.2mA. RoHS: ja . Schottky diode?: schottky. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 0.5V. Fremadspænding Vf (min): 0.38V. Antal terminaler: 2. Spec info: 150App / 10ms

Fremadgående strøm (AV): 30A. IFSM: 270A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. VRRM: 170V. Dielektrisk struktur: fælles katode. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingseffekt Schottky ensretter. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.97V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. bemærk: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. bemærk: Schottky ensretterdiode. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Fremadgående strøm (AV): 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 100V. Halvledermateriale: Sb. RoHS: ja . Schottky diode?: schottky. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . bemærk: Højspændingseffekt Schottky . bemærk: 250App/10ms

Fremadgående strøm (AV): 12A. IFSM: 110A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 28 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig højspændingsensretterdiode. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.75V. Fremadspænding Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Fremadgående strøm (AV): 5A. IFSM: 55A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultra-fast diode. MR (max): 0.75mA. MR (min): 100uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.75V. Fremadspænding Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Fremadgående strøm (AV): 5A. IFSM: 45A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 1200V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 45 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 0.3mA. MR (min): 100uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 2.2V. Fremadspænding Vf (min): 1.35V. Spec info: IFSM--45Ap. Funktion: Ultrahurtig diode, højspænding

Fremadgående strøm (AV): 12A. IFSM: 80A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 48 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast recovery - high voltage diode. Mærkning på kabinettet: STTH1210D. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 2V. Fremadspænding Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Fremadgående strøm (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Hus: ISOTOP ( SOT227B ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP. VRRM: 300V. Konditioneringsenhed: 10. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 55 ns. Halvledermateriale: silicium . MR (max): 2mA. MR (min): 200uA. Antal terminaler: 4. RoHS: ja . Montering / installation: skrue . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.2V. Fremadspænding Vf (min): 0.8V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Funktion: Dobbelt ultrahurtig højspændings ensretterdiode

Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 110A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. VRRM: 300V. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MR (max): 300uA. MR (min): 30uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 110A. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MR (max): 300uA. MR (min): 30uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 110A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. VRRM: 300V. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. MR (max): 300uA. MR (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 40A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: AXIAL TURBO 2 DIODE. Produktionsdato: 201506. MR (max): 12uA. MR (min): 2uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -40...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Hus: DO-247. Hus (i henhold til datablad): DO-247. bemærk: 2500V isolering. bemærk: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. bemærk: højspændingsdiode, ultrahurtig genopretning

Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263. VRRM: 300V. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ultrahurtig diode. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.9V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig højspændingsensretterdiode. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.9V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Fremadgående strøm (AV): 30A. IFSM: 300A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . VRRM: 600V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig højspændingsensretterdiode. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.85V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap

Hus: TO-247 . Fremadgående strøm (AV): 60A. IFSM: 330A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . VRRM: 200V. RoHS: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 22 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ultrahurtig diode. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: +175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Mærkning på kabinettet: STTH802. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.8V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: ultrahurtige ensretterdioder (min, 17ns, maks, 30ns). Konditioneringsenhed: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.25V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 5000. Spec info: IFSM--27Ap