Standard- og ensretterdioder

Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 110A. MR (max): 300uA. MR (min): 30uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Fremadgående strøm (AV): 10A. IFSM: 110A. MR (max): 300uA. MR (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: AXIAL TURBO 2 DIODE. Produktionsdato: 201506. Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 40A. MR (max): 12uA. MR (min): 2uA. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

bemærk: 2500V isolering. bemærk: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Hus: DO-247. Hus (i henhold til datablad): DO-247. bemærk: højspændingsdiode, ultrahurtig genopretning

Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ultrahurtig diode. Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): TO-263. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.9V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 20 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig højspændingsensretterdiode. Fremadgående strøm (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.9V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig højspændingsensretterdiode. Fremadgående strøm (AV): 30A. IFSM: 300A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.85V. Fremadspænding Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap

RoHS: ja . Hus: TO-247 . Mængde pr tilfælde: 2. Dielektrisk struktur: fælles katode. Trr-diode (min.): 22 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: højeffektiv ultrahurtig diode. Fremadgående strøm (AV): 60A. IFSM: 330A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: +175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Mærkning på kabinettet: STTH802. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FPAC. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: ultrahurtige ensretterdioder (min, 17ns, maks, 30ns). Konditioneringsenhed: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Antal terminaler: 2. Konditioneringsenhed: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Halvledermateriale: Sb. Fremadgående strøm (AV): 0.15A. Schottky diode?: schottky. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: 12.7k Ohms. Hus (i henhold til datablad): SOD-80. VRRM: 100V. Antal terminaler: 2. bemærk: IFSM 0.75App/10ms

RoHS: ja . Hus: SMD 0805. Cj: 4pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: High-speed dioder. Fremadgående strøm (AV): 150mA. IFSM: 500mA. Andet navn: IN4148. MR (max): 50uA. MR (min): 25nA. Antal terminaler: 2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Schottky ensretterdiode med lav fremadspænding, Overflademontering (SMD). Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 50A. MR (max): 1mA. Mærkning på kabinettet: W3U45. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOD-123. Hus (i henhold til datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.47V. Fremadspænding Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Antal terminaler: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Schottky ensretterdiode med lav fremadspænding, Overflademontering (SMD). Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 50A. MR (max): 1mA. Mærkning på kabinettet: W3U60. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOD-123. Hus (i henhold til datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.58V. Fremadspænding Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Antal terminaler: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 0.6A. VRRM: 600V

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 800V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 3A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S

Cj: 50pF. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultra fast switching. Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Driftstemperatur: -55...+125°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 200V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 600V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 800V. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S

Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 1 kV. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 5uA..50uA. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: 75 ns. Antal terminaler: 2. bemærk: GI-S. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Fremadspænding Vfmax (V): 1.7V @ 1A