Standard- og ensretterdioder

Fremadgående strøm (AV): 8A. IFSM: 100A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 25 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtige ensretterdioder (min, 17ns, maks, 30ns). Mærkning på kabinettet: STTH802. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja . Spec info: Ifsm 100Ap. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tærskelspænding Vf (maks.): 1.05V. Fremadspænding Vf (min): 0.8V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 5000. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--27Ap. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 5000. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 50 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--27Ap. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.25V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 27A. Hus: DO-213. Hus (i henhold til datablad): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 5000. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--27Ap. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V

VRRM: 30V. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 0.2A. Diode type: schottky. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1V / 0.2A. Monteringstype: SMD. Omvendt lækstrøm: 500nA / 25V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 5ns. Serie: BAT

VRRM: 40V. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 0.35A. Diode type: schottky. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <0.75V / 0.2A. Monteringstype: SMD. Omvendt lækstrøm: 25uA / 40V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 10ns. Serie: BAT

VRRM: 100V. Hus: Sb. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 0.15A. Diode type: schottky. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <0.45V / 0.01A. Monteringstype: SMD. Omvendt lækstrøm: 5uA / 75V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 100V. Serie: BAT

Hus: SMD 0603. VRRM: 75V. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 0.1A. Diode type: Switching. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.0V / 0.01A. Monteringstype: SMD. Omvendt gendannelsestid (maks.): 4ns. Serie: TS4148

Hus: SMD 1206. VRRM: 75V. Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 0.15A. Diode type: Switching. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.0V / 0.1A. Monteringstype: SMD. Omvendt lækstrøm: 25nA / 20V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 4ns. Serie: TS4148

Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: 063. Videresend nuværende [A]: 0.1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Lille signal diode, Overflademontering (SMD). konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 2. Ifsm [A]: 2A. Fremadspænding Vfmax (V): 1V @ 100mA. Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 75V. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 5uA. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Hus: SMD 0805. Fremadgående strøm (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: ja . Cj: 4pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 4 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: High-speed dioder. Andet navn: IN4148. MR (max): 50uA. MR (min): 25nA. Antal terminaler: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -65...+175°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1V. Fremadspænding Vf (min): 1V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 50A. Hus: SOD-123. Hus (i henhold til datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Schottky ensretterdiode med lav fremadspænding, Overflademontering (SMD). MR (max): 1mA. Mærkning på kabinettet: W3U45. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.47V. Fremadspænding Vf (min): 0.33V

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 50A. Hus: SOD-123. Hus (i henhold til datablad): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Halvledermateriale: Sb. Funktion: Schottky ensretterdiode med lav fremadspænding, Overflademontering (SMD). MR (max): 1mA. Mærkning på kabinettet: W3U60. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.58V. Fremadspænding Vf (min): 0.39V

Fremadgående strøm (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Halvledermateriale: silicium

Fremadgående strøm (AV): 1A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 800V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: GI-S. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

Fremadgående strøm (AV): 3A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: GI-S. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

Fremadgående strøm (AV): 3A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: GI-S. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultra fast switching. Antal terminaler: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -55...+125°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V

Fremadgående strøm (AV): 1A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 200V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: GI-S. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

Fremadgående strøm (AV): 1A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 600V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: GI-S. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

Fremadgående strøm (AV): 1A. Hus: DO-41. Hus (i henhold til datablad): DO-41. VRRM: 800V. Halvledermateriale: silicium . bemærk: GI-S. Antal terminaler: 2. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

VRRM: 1000V. Hus: silicium . Gennemsnitlig ensrettet strøm pr, diode: 1A. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: 75 ns. driftstemperaturområde min (°C): -50°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Diode type: ensretter diode. Diode konfiguration: uafhængig. Fremadspænding (maks.): <1.7V / 1A. Monteringstype: THT. Omvendt lækstrøm: 10uA / 1000V. Omvendt gendannelsestid (maks.): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Serie: UF40. MSL: 5uA..50uA

Fremadgående strøm (AV): 3A. IFSM: 150A. Hus: DO-201. Hus (i henhold til datablad): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 70 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig ensretterdiode. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Driftstemperatur: -65...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.4V. Fremadspænding Vf (min): 1.4V

Fremadgående strøm (AV): 2A. IFSM: 80A. Hus: DO-15. Hus (i henhold til datablad): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: ultrahurtig ensretterdiode. MR (max): 200uA. MR (min): 5uA. Antal terminaler: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja . Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tr: 15 ns. Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 0.95V. Fremadspænding Vf (min): 0.8V

Fremadgående strøm (AV): 1A. IFSM: 30A. Hus (i henhold til datablad): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 5000. Mængde pr tilfælde: 1. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 75 ns. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Ækvivalenter: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Antal terminaler: 2. RoHS: ja . Spec info: IFSM--30Ap. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.7V. Fremadspænding Vf (min): 1.7V