STB12NM50ND

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	33.23kr	41.54kr
5 - 9	31.57kr	39.46kr
10 - 24	29.91kr	37.39kr
25 - 49	28.25kr	35.31kr
50 - 80	27.58kr	34.48kr

Antal	U.P
1 - 4	33.23kr	41.54kr
5 - 9	31.57kr	39.46kr
10 - 24	29.91kr	37.39kr
25 - 49	28.25kr	35.31kr
50 - 80	27.58kr	34.48kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 80

Sæt med 1

STB12NM50ND. C (i): 850pF. Omkostninger): 48pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: B12NM50ND. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. On-resistance Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 40 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: FDmesh™ II Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 550V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (med hurtig diode). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!