STF13NM60N

STF13NM60N. C (i): 790pF. Omkostninger): 60pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 3 ns. Teknologi: MDmesh™ II Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.