STMicroelectronics STB12NM50N N-Kanal MDmesh Power MOSFET, 550V, 11A, D2PAK (TO-263)

Teknisk beskrivelse af produktet (STB12NM50N):

Drain-Source-spænding Vds(max): 550V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 100uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 11A. Drainstrøm Id (T=100°C): 6.8A. On-modstand Rds On: 0.29 Ohms. Kapsling (ifølge datablad): D2PAK (TO-263). Kapsling: D2PAK (TO-263). RoHS: ja. Antal forbindelser: 2. Montering/Installation: Overflademonteret komponent (SMD). Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Høj dv/dt, lav gate-kapacitet. Teknologi: MDmesh Power MOSFET. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 60 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 1uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 15 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 44A. Mærkning på kapsling: B12NM50N. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2V. Indgangskapacitet C (in): 940pF. Udgangskapacitet C (out): 100pF. Diode reverse recovery time Trr (Min.): 340 ns. Maks. effektafledning: 100W. Drain-Source-beskyttelse: ja. Gate-Source-spænding Vgs: 25V. Temperatur: +150°C