Stmicroelectronics STP11NM60 N-kanal MDmesh Power MOSFET, 600V Drain-Source, 11A Kontinuerlig Drains

Teknisk beskrivelse af produktet (STP11NM60):

Maks. Drain-Source-spænding Vds(max): 600V. Maks. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 10uA. Kontinuerlig Drainstrøm ID (T=25°C): 11A. Kontinuerlig Drainstrøm ID (T=100°C): 7A. On-modstand Rds On: 0.4 Ohm. Hus: TO-220. RoHS-kompatibel: Ja. Særlige funktioner: Høj dv/dt og lavineegenskaber. Antal terminaler: 3. Monteringstype: PCB gennemhulsmontage. Kanaltype: N-kanal. Transistortype: MOSFET. Nøgleegenskaber: Lav indgangskapacitet, lav on-modstand, lav gate-ladning. Teknologi: MDmesh Power MOSFET. Maks. driftstemperatur: +150°C. Gate-Source-beskyttelse: Nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 6 ns. Min. Drain-Source-lækstrøm IDss (min): 1uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 20 ns. Pulserende Drainstrøm Id(imp): 44A. Min. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th): 3V. Indgangskapacitet C(in): 1000pF. Udgangskapacitet C(oss): 230pF. Diode-reverse-recovery-tid Trr (Min.): 390 ns. Maks. effekttab Pd: 160W. Drain-Source-beskyttelse: Zener-diode. Maks. Gate-Source-spænding Vgs: 30V. Emballage: Plastikrør, 50 enheder pr. rør.