STMicroelectronics STP11NM80 N-Kanal MDmesh MOSFET, 800V, 11A, TO-220

Teknisk beskrivelse af produktet (STP11NM80):

Drain-Source-spænding Vds(max): 800V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 100uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 11A. Drainstrøm Id (T=100°C): 4.7A. On-modstand Rds On: 0.35 Ohms. Kapsling (ifølge datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -65...+150°C. Antal forbindelser: 3. Montering/Installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Lav indgangskapacitet, modstand og gate-ladning. Teknologi: MDmesh MOSFET. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 46 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 10uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 22 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 44A. Mærkning på kapsling: P11NM80. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 3V. Indgangskapacitet C (in): 1630pF. Udgangskapacitet C (out): 750pF. Diode reverse recovery time Trr (Min.): 612 ns. Maks. effektafledning: 150W. Emballage: Plastikrør. Drain-Source-beskyttelse: Zenerdiode. Gate-Source-spænding Vgs: 30V. Emballageenhed: 50