STMicroelectronics STP14NF12 N-Kanal STripFET II Power MOSFET, 120V, 14A, TO-220

Teknisk beskrivelse af produktet (STP14NF12):

Drain-Source-spænding Vds(max): 120V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 10uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 14A. Drainstrøm Id (T=100°C): 9A. On-modstand Rds On: 0.16 Ohms. Kapsling (ifølge datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. Montering/Installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Lav gate-ladning. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 32 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 1uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 16 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 56A. Mærkning på kapsling: P14NF12. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2V. Indgangskapacitet C (in): 460pF. Udgangskapacitet C (out): 70pF. Maks. effektafledning: 60W. Drain-Source-beskyttelse: ja. Gate-Source-spænding Vgs: 20V. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 4V