STMicroelectronics STP200N4F3 N-Kanal STripFET™ Power MOSFET, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Teknisk beskrivelse af produktet (STP200N4F3):

Drain-Source-spænding Vds(max): 40V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 100uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Drainstrøm Id (T=100°C): 60.4k Ohms. On-modstand Rds On: 3M Ohms. Kapsling (ifølge datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+175°C. Antal forbindelser: 3. Montering/Installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Kobling, bilapplikationer. Teknologi: STripFET™ Power MOSFET. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 90 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 10uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 19 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 480A. Mærkning på kapsling: 200N4F3. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2V. Indgangskapacitet C (in): 5100pF. Udgangskapacitet C (out): 1270pF. Diode reverse recovery time Trr (Min.): 67 ns. Maks. effektafledning: 300W. Drain-Source-beskyttelse: Zenerdiode. Gate-Source-spænding Vgs: 20V. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 4V