STMicroelectronics STP4NB80 N-Kanal PowerMESH MOSFET, 800V, 4A

Teknisk beskrivelse af produktet (STP4NB80):

Drain-Source-spænding Vds(max): 800V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 50uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 4A. Drainstrøm Id (T=100°C): 2A. On-modstand Rds On: 3 Ohms. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Høj strøm, højhastighedskobling. Teknologi: PowerMESH MOSFET. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 12 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 1uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 14 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 16A. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 3V. Indgangskapacitet C (in): 700pF. Udgangskapacitet C (out): 95pF. Diode reverse recovery time Trr (Min.): 600 ns. Maks. effektafledning: 100W. Drain-Source-beskyttelse: ja. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 5V