N-kanal transistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP13NM60N

N-kanal transistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP13NM60N. N-kanal transistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.28 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 790pF. Omkostninger): 60pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Lav indgangskapacitans og gateopladning. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 13NM60N. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Spec info: ID pulse 44A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 3 ns. Teknologi: MDmesh™ II Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 10:25.