N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD

N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD. N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.26 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 500pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Lav portkapacitans. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P20NM60FD. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 192W. RoHS: ja . Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 8 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 16/06/2025, 05:25.