N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	45.83kr	57.29kr
2 - 2	43.54kr	54.43kr
3 - 4	41.24kr	51.55kr
5 - 9	38.95kr	48.69kr
10 - 19	38.04kr	47.55kr
20 - 29	37.12kr	46.40kr
30 - 33	35.75kr	44.69kr

Antal	U.P
1 - 1	45.83kr	57.29kr
2 - 2	43.54kr	54.43kr
3 - 4	41.24kr	51.55kr
5 - 9	38.95kr	48.69kr
10 - 19	38.04kr	47.55kr
20 - 29	37.12kr	46.40kr
30 - 33	35.75kr	44.69kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 33

Sæt med 1

N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60FD. N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.26 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 500pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 192W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 8 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Lav portkapacitans. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 24/04/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation