STP3NB60

STP3NB60. C (i): 400pF. Omkostninger): 57pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P3NB60. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. On-resistance Rds On: 3.3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 11 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: PowerMESH™ MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 02:25.