STP3NK80Z

STP3NK80Z. C (i): 485pF. Omkostninger): 57pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: meget højt dv/dt-forhold til skift af applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P3NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. On-resistance Rds On: 3.8 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 36ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 02:25.