STP6NK90Z

STP6NK90Z. C (i): 1350pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P6NK90Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja . Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 19:25.