STP80NF12

STP80NF12. C (i): 4300pF. Omkostninger): 600pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P80NF12. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 134 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 120V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.