Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 36.39kr | 45.49kr |
5 - 9 | 34.57kr | 43.21kr |
10 - 24 | 33.48kr | 41.85kr |
25 - 38 | 32.02kr | 40.03kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 36.39kr | 45.49kr |
5 - 9 | 34.57kr | 43.21kr |
10 - 24 | 33.48kr | 41.85kr |
25 - 38 | 32.02kr | 40.03kr |
N-kanal transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247 , TO-247 , 1000V - STW11NK100Z. N-kanal transistor, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247 , TO-247 , 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 1000V. C (i): 3500pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 560 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: ekstrem høj dv/dt-kapacitet, skift af applikationer. GS-beskyttelse: ja . Id(imp): 33.2A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W11NK100Z. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja . Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 98 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 03:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.