Toshiba 2SK2039 N-Kanal V-MOSFET, 900V, 5A, TO-3PN Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK2039):

Spænding Vds(max): 900V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 5A. ID (T=100°C): 3A. On-modstand Rds On: 1,9 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO-3PN. Kapsling: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: ja. Antal terminaler: 3. Montering/installation: Gennemhulsmontage på printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Høj hastighed. Teknologi: V-MOS. Maks. temperatur: +150°C. G-S Beskyttelse: nej. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Antal pr. kasse: 1. Id(imp): 15A. Vgs(th) min.: 1,5V. C(in): 690pF. C(oss): 120pF. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Pd (Effekttab, Maks): 150W. Drain-source beskyttelse: diode. Gate/source spænding Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3,5V.